什么是突变结？什么是单边突变结？什么是线性缓变结，突变结和线性缓变结

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什么是突变结？什么是单边突变结？什么是线性缓变结

突变结：是一种具有特殊杂质浓度分布的突变p-n结，P和N区都是均匀掺杂的，在交界面处，杂质的浓度有一个突然的跃变；超突变结的势垒电容具有较高的电压灵敏度，可用作为变容二极管。 单边突变结：指的是P和N区的其中一者重掺杂，分为p+ n和n+ p结构 线性缓变结：指的是掺杂浓度是到冶金结（p-n交界面）的函数，简单地说就是掺杂浓度随着位置的变化而变化。

麻烦解释下什么是线性缓变结和什么是突变结？？？（解释清楚才给悬赏哦）

线性缓变结是在扩散结中，杂志分布可以用Nd=Na处的x的切线近似表示。 突变结是对于离子注入或轻掺杂的原石晶体上进行浅结扩散。

什么是突变结？什么是单边突变结？什么是线性缓变结

突变结：是一种具有特殊杂质浓度分布的突变p-n结，P和N区都是均匀掺杂的，在交界面处，杂质的浓度有一个突然的跃变；超突变结的势垒电容具有较高的电压灵敏度，可用作为变容二极管。 单边突变结：指的是P和N区的其中一者重掺杂，分为p+ n和n+ p结构 线性缓变结：指的是掺杂浓度是到冶金结（p-n交界面）的函数，简单地说就是掺杂浓度随着位置的变化而变化。

PN结是什么

什么是PN结？就是当把P形半导体和N形半导体做在一起时，由于P形半导体呈正电性，而N形半导体呈负电性。P形半导体里的空穴会向N形半导体扩散，而N形半导体里的电子会向P形半导体扩散，从而形成一个空间电荷区。

pn结和冶金结相同吗

冶金结也叫合金结：指的是pn结内p型掺杂区域与n型掺杂区域的分界面，即突变的pn结。早期的pn结制备用的是合金法，即Ge单晶晶片上放个In球，升温令Ge溶入到In熔化物中，加热到500~600℃，最终形成共熔体后再降温，此时Ge会析出并沿Ge的晶向再结晶，并且会含有In，即n-type区域，即形成pn结。合金结只是从制备角度的一种pn结，突变结，还有线性缓变pn结。一般这种结在比较老的晶体管教材中都会介绍，新教材介绍的少了，一般老师在讲授pn结一章会提一下的。可以图书馆找找亢宝位（北京工业大学）、陈星弼（成都电子科大）、武世香（哈工大）、宋南辛（浙江大学）几位早期的晶体管/器件物理教材，1980s年代的。

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试说明p-n结为什么具有单向导电性，p-n结还能做什么应用

同质P-N结的能带结构图的得出方法如下： 因为在p-n结界面附近处存在着内建电场，而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去，同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看，由于空间电荷-内建电场的出现，就使得电子在p型半导体一边的能量提高了，同时空穴在n型半导体一边的能量也提高了；而在界面附近处产生出了一个阻挡载流子进一步扩散的势垒——p-n结势垒。根据内建电场所引起的这种能量变化关系，即可画出p-n结的能带图。在达到热平衡之后，两边的Fermi能级（EF）是拉平（统一）的。能带的倾斜就表示着电场的存在。 P-N结的定义： 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

导致bjt二次击穿的因素有哪些

　　二次击穿主要是由于器件局部过热引起的，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流和一定的时间。因此集电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、基极电路的配置，以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。 　　为防止BJT二次击穿，尽量避免采用电抗成分过大的负载，并合理选择工作点及工作状态，使之不超过BJT的安全工作区。

半导体物理学中的几个概念！谢谢~！

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